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晶圓級封裝技術(shù)對精密劃片機提出的高標(biāo)準(zhǔn)

國產(chǎn)劃片機 2022-04-20

晶圓級封裝的標(biāo)準(zhǔn)英文解釋為Wafer Level Package, 縮寫WLP。精密劃片機內(nèi)的行業(yè)人又將WLP稱為圓片級-芯片尺寸封裝(WLP-CSP),它不僅充分體現(xiàn)了BGA CSP的技術(shù)優(yōu)勢,而且是封裝技術(shù)取得革命性突破的標(biāo)志。國產(chǎn)晶圓級封裝技術(shù)采用批量生產(chǎn)工藝制造技術(shù),可以將封裝尺寸減小至IC芯片的尺寸,生產(chǎn)成本大幅下降,并且把封裝與芯片的制造融為一體,這將徹底改變芯片制造業(yè)與芯片封裝業(yè)分離的局面。正因為晶圓級封裝技術(shù)有如此重要的意義,所以,在一出現(xiàn)就受到極大的關(guān)注并迅速獲得快速的發(fā)展和廣泛的應(yīng)用。

在傳統(tǒng)晶圓封裝中,是將成品晶圓切割成單個芯片,然后再進行黏合封裝。不同于傳統(tǒng)封裝工藝,晶圓級封裝是在芯片還在晶圓上的時候就對芯片進行封裝,保護層可以黏接在晶圓的頂部或底部,然后連接電路,再將晶圓切成單個芯片。

相比于傳統(tǒng)封裝,晶圓級封裝具有以下優(yōu)點:

1、封裝尺寸小

由于沒有引線、鍵合和塑膠工藝,封裝無需向芯片外擴展,使得WLP的封裝尺寸幾乎等于芯片尺寸。

2、高傳輸速度

與傳統(tǒng)金屬引線產(chǎn)品相比,WLP一般有較短的連接線路,在高效能要求如高頻下,會有較好的表現(xiàn)。

3、高密度連接

WLP可運用數(shù)組式連接,芯片和電路板之間連接不限制于芯片四周,提高單位面積的連接密度。

4、生產(chǎn)周期短

WLP從芯片制造到、封裝到成品的整個過程中,中間環(huán)節(jié)大大減少,生產(chǎn)效率高,周期縮短很多。

5、工藝成本低

WLP是在硅片層面上完成封裝測試的,以批量化的生產(chǎn)方式達(dá)到成本最小化的目標(biāo)。WLP的成本取決于每個硅片上合格芯片的數(shù)量,芯片設(shè)計尺寸減小和硅片尺寸增大的發(fā)展趨勢使得單個器件封裝的成本相應(yīng)地減少。WLP可充分利用晶圓制造設(shè)備,生產(chǎn)設(shè)施費用低。

一般來說,IC 芯片與外部的電氣連接是金屬引線以鍵合的方式把芯片上的I/O(輸入/輸端口)連至封裝載體并經(jīng)封裝引腳來實現(xiàn)的。IC芯片上的I/O通常分布在周邊,隨著IC芯片特征尺寸的減少和集成規(guī)模的擴大,I/O的間距不斷減小、數(shù)量不斷增大。當(dāng)I/O間距減至7μ下時,線合技術(shù)不再適用,必須尋求新的技術(shù)途徑。


晶圓級封裝技術(shù)利薄膜再分布工藝,使I/可以分布在芯片面上不僅僅局限于窄小的IC芯片周邊區(qū)域,從而成功地解決了上述高密度、細(xì)間距I/O芯片的電氣互連問題。傳統(tǒng)封裝技術(shù)晶圓劃片后的單個芯片為加工目標(biāo),封裝過程在芯片生產(chǎn)線以外的封裝廠進行。晶圓級封技術(shù)截然不同,它以晶圓片為加工對象,直接在晶圓片上同時對眾多芯片封裝、老化、測封裝的全過程都在圓片生產(chǎn)廠內(nèi)運用芯片的制造設(shè)備完成,使芯片的封裝、老化、測試完全融合在晶圓的芯片生產(chǎn)流程中。封裝好的晶圓經(jīng)切割得到單個IC 芯片,可以直接貼裝到基或印制電路板上,由此可見,晶圓級封裝技術(shù)是真正意義上的批量生產(chǎn)芯片技術(shù)。

晶圓級封裝是尺寸最小的低成本封裝,它像其他封裝一樣,為IC 芯片提供電氣連接、熱通路、機械支撐和環(huán)境保護,并能滿足表面貼裝的要求。但這同時也給精密切割提出了更高的精度要求。

晶圓級封裝技術(shù)要不斷降低成本,提高可靠性水平,擴大在大型IC方面的應(yīng)用:

1、通過減少WLP的層數(shù)降低工藝成本,縮短工藝時間,主要是針對I/O少、芯片尺寸小的產(chǎn)品。

2、通過新材料應(yīng)用提高WLP的性能和可靠度。主要針對I/O多、芯片尺寸大的產(chǎn)品。

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