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晶圓劃片工藝的硅片切割質(zhì)量評估

國產(chǎn)劃片機 2021-05-10

  高精密劃片機制造商對于低k晶圓切割質(zhì)量評估,除了正面崩角和背面崩角以外,根據(jù)實驗數(shù)據(jù)和可靠性結(jié)果,規(guī)定了下述硅片切割質(zhì)量指標(biāo):

  (1)銅密封環(huán)不允許出現(xiàn)斷裂,分層或其他任何(在200倍顯微鏡下)可見的損傷。

 ?。ǎ玻┰趧澠謪^(qū)上出現(xiàn)金屬與ILD層的分層是允許的,只要這種分層能止步于銅密封環(huán)外。

  (3)在芯片的頂角區(qū)域的金屬/ILD層不允許出現(xiàn)分層或損傷,唯一的例外是有封裝可靠性數(shù)據(jù)證明在某種特定的芯片設(shè)計/封裝結(jié)構(gòu)的組合下芯片的頂角區(qū)域的損傷可以接受。

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  在晶圓的制造過程中,為了獲得較高的成品率、較低的制造成本和穩(wěn)定的工藝制程,每一步工藝都處于嚴(yán)格的監(jiān)控下。因此,測試圖案被設(shè)計出來并對其進行監(jiān)測,以確保關(guān)鍵參數(shù)如電參數(shù)、制程精度如ILD層/金屬層的淀積厚度、掩膜對準(zhǔn)精度及金屬線寬容差等滿足設(shè)計要求,通常有三種方式來實現(xiàn)晶圓工藝制程監(jiān)控:

 ?。╝)離線測試,這種測試將所有的測試圖案放入被稱為“工藝確認(rèn)晶圓”的特別設(shè)計的晶圓上。優(yōu)點是可以包括所有需要測試的圖案,因而可以執(zhí)行一個全面的工藝制程監(jiān)控;缺點是高成本和費時。它通常應(yīng)用在產(chǎn)品的研發(fā)初期。當(dāng)產(chǎn)品技術(shù)日趨成熟后,這種測試方法會被其他的測試方法所取代。

 ?。╞)測試芯片插入法。所有的測試圖案被放入測試芯片內(nèi),這些測試芯片被安放在晶圓上的不同區(qū)域。測試芯片的數(shù)目和位置取決于晶圓制造技術(shù)的復(fù)雜度。優(yōu)點是它是一種實時監(jiān)控。如果某種致命的缺陷發(fā)生在晶圓制造流程的早期,就可以避免由于整個晶圓報廢而帶來的損失。這種測試方法的缺點是它占用了寶貴的硅片資源,尤其是當(dāng)單個芯片尺寸較大,而PDPW(Potential Die Per Wafer)數(shù)目較小的時候。

 ?。╟)周邊測試,測試圖案被放置在劃片街區(qū)內(nèi)。將測試圖案放在劃片街區(qū)內(nèi)能夠在實現(xiàn)實時監(jiān)控的同時,節(jié)約了寶貴的硅片資源??梢苑胚M劃片街區(qū)的測試圖案的數(shù)目取決于在一個掩膜(Reticle)內(nèi)劃片街區(qū)的長度和面積。在一個Reticle內(nèi)劃片街區(qū)上的測試圖案,會隨著步進式光刻的科技進化完成項目。

  在一個晶圓上,通常有幾百個至數(shù)千個芯片連在一起,我們國產(chǎn)劃片機行業(yè)正在崛起,得到了國家的重視!劃片機來自漢為科技,未來世界看中國制造!


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